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由 **mtlin12** 發表於週一 11月 24, 2003 3:18 pm

可是該地的電位參考點是乎應該是V1?

由 **wensan** 發表於週一 11月 24, 2003 3:28 pm

mtlin12 寫:可是該地的電位參考點是乎應該是V1?

您要用示波器量Q2的Vbe時，是不是要把示波器跟電路隔離絕緣，再把示波器的GND接Q2的E極，把探棒接在Q2的B極！？ :eeh:

由 **mtlin12** 發表於週一 11月 24, 2003 3:34 pm

uuu兄量過，我沒有，問題是如果該點為0 GND，Q1，Q2動作應該是
不正常的。

由 **wensan** 發表於週一 11月 24, 2003 3:42 pm

mtlin12 寫:uuu兄量過，我沒有，問題是如果該點為0 GND，Q1，Q2動作應該是
不正常的。

「電位差」是「相對」的！ :mad:

連這種「基本電學」最基本的概念都沒有！救命啊！！！！！！！！！！ :mad:

由 **mtlin12** 發表於週一 11月 24, 2003 4:18 pm

可是您模擬出來的Q1，Q2動作確實有問題阿!

由 **mtlin12** 發表於週一 11月 24, 2003 4:30 pm

算了，我來說那點的電位給大家評評理：

2N5401 E極旁邊那點正確的電壓是=(Q1的)Vbe+Vin，
是隨Vin電壓而浮動的，Vout=(Q1的)Vbe+Vin-(Q2的)be-0.3V
~=Vin-0.3V。

由 **kvl** 發表於週一 11月 24, 2003 5:41 pm

最新模擬結果:

DB的Q25、Q26與LOW-TIM一樣會進入截止區，如果接2u純電
容負載(輸入100KHZ方波)，可以明顯看出DB需要更長的充電時
間，這可能就是DB比較慢的原因。抱歉我不會貼圖。

由 **mtlin12** 發表於週一 11月 24, 2003 6:18 pm

kvl 寫:最新模擬結果:

DB的Q25、Q26與LOW-TIM一樣會進入截止區，如果接2u純電
容負載(輸入100KHZ方波)，可以明顯看出DB需要更長的充電時
間，這可能就是DB比較慢的原因。抱歉我不會貼圖。

要DB的Q25、Q26進入截止區，Vin的幅度已經相當之大，接近
+/-四十幾V了。

還有LOW-TIM的電路模型是乎有問題，Vin上下各自有+/-1.5V
的偏壓使Q25、Q26處於active狀態，但是實際情況應該是Vin
及Vin-3V才是真正Q25、Q26的輸入，要上下各自有+/-1.5V的
偏壓，除非上下各有一個真實而浮動的偏壓 or 由上下各有一個恆流源
推動上下各兩個diode，跟隨Vin一起浮動？!

由 **gwliao** 發表於週二 11月 25, 2003 3:58 am

說錯了,

由 **kvl** 發表於週二 11月 25, 2003 8:14 am

描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源，其餘與DB-01一樣，訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓，上下各串一2mA電流源，
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源，供電為+-24V，第一級電流均為2mA。
當輸入1V時，差距有限，但輸入5V時，明顯看出DB充電時間較
長，差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區，即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的，但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同，但得到相同的結論--Q25、26會截
止，所以您的立論恐怕是有問題的。

由 **skychu** 發表於週二 11月 25, 2003 12:02 pm

wensan 寫:

Diamond Buffer前後電晶體交替逆偏！

抱歉 ! 那兩紅, 綠線各是那兩點的電壓 ?

由 **skychu** 發表於週二 11月 25, 2003 12:06 pm

kvl 寫:描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源，其餘與DB-01一樣，訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓，上下各串一2mA電流源，
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源，供電為+-24V，第一級電流均為2mA。
當輸入1V時，差距有限，但輸入5V時，明顯看出DB充電時間較
長，差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區，即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的，但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同，但得到相同的結論--Q25、26會截
止，所以您的立論恐怕是有問題的。

抱歉 ! Q25, Q26 是那一級 ? 文山兄的圖只有Q1 ~ Q5.

由 **kvl** 發表於週二 11月 25, 2003 12:25 pm

圖中的Q2、Q4，Q25、Q26是DB-01原圖的標示。

由 **wensan** 發表於週二 11月 25, 2003 12:25 pm

座標下方有標示紅線是什麼、綠線是什麼。

由 **mtlin12** 發表於週三 11月 26, 2003 8:30 am

kvl 寫:描述一下模擬電路:

DB--Q13上下各串一2mA電流源，其餘與DB-01一樣，訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。

LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓，上下各串一2mA電流源，
訊號上下各以1000uf交連進B腳。

兩者用同一訊號源，供電為+-24V，第一級電流均為2mA。
當輸入1V時，差距有限，但輸入5V時，明顯看出DB充電時間較
長，差距在3倍以上。

Q25、26會進入截止區，即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的，但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同，但得到相同的結論--Q25、26會截
止，所以您的立論恐怕是有問題的。

kvl兄:
基本上Low TIM根本沒有以5個1N4148串聯偏壓，上下各串一2mA電流源
這已經是diamond buffer最基本形式了，試問Low TIM是如何創造出偏壓? 無論
輸入如何都可令Q25、Q26導通，我想絕非Idea的2mA電流源，依然有上下波
問題不是嗎?

由 **kvl** 發表於週三 11月 26, 2003 9:32 am

我真的搞不清楚您在說什麼?

偏壓可以用不同的方式，用1N4148跟用一個晶體有什麼不同嗎?
這是一般前級常用的架構，您看過的電路可能太少了吧?

把2mA電流源換成兩個10K電阻，結果還是一樣啊!

由 **mtlin12** 發表於週三 11月 26, 2003 9:46 am

KVL兄，
1.若沒有偏壓時，DB和Low TIM就會有不同，對不對?

2.若是用兩個10K電阻而非2mA電流，對非idea的 Vin是否有影響?
　我是指用電阻是否會改變前一級的Loading，否則buffer IC這樣設計
　不是簡單多了！

3.1N4148與用一個晶體沒有太多不同，只是看起來比較簡單。

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瑞典人Peranders的SMD DB多快呀!

誰在線上